【芯融资】2021年加速芯布局 超越摩尔基金开启霸屏模式；无锡首支集成电路设计产业投资基金发布；闻泰氮化镓、碳化硅产品闪耀进博会
1.【芯融资】2021年加速芯布局 超越摩尔基金开启霸屏模式
2.无锡市首支集成电路设计产业投资基金发布
3.闻泰科技氮化镓、碳化硅产品闪耀进博会，持续推进中国车规级半导体发展
集微网消息，今年以来，超越摩尔基金在半导体领域的投资布局迅速扩张。集微网统计显示，超越摩尔基金今年已投资半导体企业或超12家，而今年8月以后，超越摩尔基金更是作为投资方频频出现在半导体企业融资新闻中。
专注超越摩尔产业领域
超越摩尔基金由上海微技术工业研究院（SITRI）联同国家集成电路产业基金、地方政府和各方企业共同设立的定向产业投资基金。SITRI官方消息显示，超越摩尔产业基金规模为50亿元，采用市场化运作模式，汇集产业、资本、科研院所及地方政府等各界资源，专注于超越摩尔产业领域的股权投资与并购。
企查查显示，超越摩尔基金主要投资先进传感器、功率器件、射频器件、光电器件和微能源等领域。超越摩尔基金的基金管理人为上海芯铄投资管理有限公司，直投主体为南京超摩志远股权投资合伙企业（有限合伙）、上海超摩创芯企业管理中心（有限合伙），管理基金为上海超越摩尔股权投资基金合伙企业（有限合伙）。
上海微技术工业研究院（SITRI）成立于2013年，由上海市科委、嘉定区和中科院微系统所发起成立，拥有全国首条8英寸“超越摩尔”（More than Moore）研发中试线。
在2017全球传感器与物联网应用产业峰会上，举行了上海微技术工业研究院“超越摩尔”8英寸研发中试线启动仪式、 “超越摩尔”产业基金签约仪式，“超越摩尔”产业基金，正宣布成立。
2021年加速芯布局
集微网不完全统计，迄今为止，超越摩尔基金投资的半导体企业或超23家，而2021年加速芯布局。企查查统计数据也验证了这一点。
（来源：企查查）
2019年，投资了多维科技等；
2020年，投资了斐控泰克、东科半导体、悦芯半导体、能华微电子、优迅科技、源杰半导体等；
2021年，投资了金泰克、圣治光电、镭明激光、逐点半导体、威固信息、智多晶、齐感科技、昇显微电子等。
（校对/小北）
2.无锡市首支集成电路设计产业投资基金发布
集微网消息 据无锡高新区在线消息成，“无锡集成电路设计产业投资基金发布暨合作签约仪式”于11月6日在无锡国家“芯火”双创基地举行。
据了解，该基金作为无锡市首支集成电路设计领域专业基金，是由江苏省产业技术研究院智能集成电路设计技术研究所（简称“集萃智能所”）发起成立的，基金规模为2亿元，主要关注集成电路设计产业领域的投资，包括5G通讯、硅光通讯、先进无线通信、物联网、高端功率电子、先进工艺IP等领域的集成电路设计企业。基金将充分发挥各方优势和资源，促进地方封装测试、材料、设备等集成电路相关产业的发展，带动整机企业、系统企业聚集，进一步推动无锡集成电路产业的高质量发展。
在仪式中，无锡集成电路设计产业投资基金投资主体代表集萃智能所、金投集团、新投集团、江溪街道、力芯微电子进行了合作签约。而无锡集成电路设计产业投资基金管理公司芯和投资与硅动力、赛米垦拓、沐创集成电路等拟投企业代表签署了合作协议。
江苏省产业技术研究院智能集成电路设计技术研究所是由江苏省产业技术研究院、无锡高新区和核心技术团队共同组建的新型研发机构。截至目前，集萃智能所已实施智能集成电路设计技术相关研发课题8项，完成5款芯片研发试制，累计申请各类专利67项，引入集成电路设计团队19个，并承担无锡国家集成电路设计产业化基地和无锡芯火平台的建设和运营工作。
近年来，无锡高新区相继培育了华润微电子、芯朋微电子等科创版上市企业；引进了总投资100亿美元的华虹（无锡）制造基地项目、总投资86亿美元的海力士二工厂项目、总投资15亿美元的海辰半导体（M8）项目；布局了先导集成电路装备与材料产业园、新发集成电路产业园等专业园区，引进和新建项目涵盖芯片设计、晶圆制造、装备材料等领域，其中华虹（无锡）制造基地项目18个月建成达产。
10月27日，芯朋集成电路设计产业园揭牌仪式在无锡高新区举行。该产业园将从产业链入手，总部大楼一部分用作科创板上市公司无锡芯朋微电子股份有限公司总部办公及研发用房，其余用于引入与公司产业方向相关的科研机构、创业企业以及配套服务企业，通过产业园建设，引进、投资、孵化一批相关产业创新企业，做好集成电路设计产业“延链、补链、强链”。（校对|Lee）
3.闻泰科技氮化镓、碳化硅产品闪耀进博会，持续推进中国车规级半导体发展
集微网消息 11月6日，进博会进入第二天，闻泰科技安世半导体展位大批氮化镓和碳化硅产品成为观众关注的焦点。
汽车电子是Nexperia（安世半导体）的重点服务领域。每一款新车都使用了约270款不同应用领域的 Nexperia（安世半导体）产品，比如汽车和电动汽车动力系统、汽车直流电机控制和车载充电器等。面对国内快速发展的电动车市场，作为高效功率氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的可靠供应商--Nexperia（安世半导体）在第四届中国国际进口博览会期间展出大量氮化镓和碳化硅产品，包括采用安世35千瓦氮化镓（GaN）功率组件的新能源汽车电机控制器、50千瓦动力系统逆变器、3千瓦氮化镓（GaN）DCDC车载充电器、4千瓦氮化镓（GaN）无桥图腾柱PFC、首款工业级 650V/10A碳化硅（SiC）肖特基二极管等。
采用安世35千瓦氮化镓（GaN）功率组件的新能源汽车电机控制器
采用安世35千瓦氮化镓（GaN）功率组件的新能源汽车电机控制器由上海汽车电驱动有限公司和安世半导体（中国）有限公司联合研制，是中国首款满足量产级的新能源汽车氮化镓（GaN）电机控制器。该控制器峰值效率达到99.34%，最大输出功率35kW，超高功率密度，NVH性能优良，覆盖AO/A级/小型SUV EV功率范围。
安世高功率氮化镓场效应晶体管型号GAN039-650NTBA，符合车规级认证的CCPAK1212i，顶部散热贴片封装，高可靠性的级联结构氮化镓技术，可提高抗干扰能力，无需设计负电压驱动。
50千瓦动力系统逆变器
50千瓦动力系统逆变器是基于安世半导体氮化镓技术的电动汽车逆变器，输入电压为355V-450V，最大输出功率为50千瓦，SVPWM调制方式，高达30kHZ的工作频率，实现>98%的效率。
安世高功率氮化镓场效应晶体管采用H2 GaN041晶圆裸片，使动力系统以更低的成本达到更高的效率（﹥98%），优化热性能、简化开关拓扑；显著提高开关速度和转换效率；提供动力系统电气化所需的功率密度；缩小逆变器的封装尺寸并减轻重量；同样的电池容量可实现更远行驶里程。
3千瓦氮化镓（GaN）DCDC车载充电器
3千瓦氮化镓（GaN）DCDC车载充电器，采用安世半导体氮化镓（GaN）场效应管方案，输入电压范围250V~500V，效率高达95%。安世高效产品及优势：TO-24封装氮化镓场效应管， 型号GAN063-650WSA、GANO41-650WSA；减少功率器件数量，降低系统成本，提高整个系统的可靠性，提供高端电源所需的高效率和高功率密度。
4千瓦氮化镓（GaN）无桥图腾柱PFC
4千瓦氮化镓（GaN）无桥图腾柱PFC，应用于新能源汽车车载充电器，NXTTP4000W066为4KW的无桥图腾柱PFC转换器，输入电压范围为85VAC-265VAC，47Hz-63Hz；工作频率为66kHz、120KHz或者更高，输出电压387 VDC +5 VDC。
安世高效产品及优势：型号GAN041-650WSB，T0-247封装；减少50%的功率器件数量，可以降低系统成本，同时提高整个系统的可靠性；高达99%的系统效率助力钛金牌电源；减少对昂贵冷却系统的需求及在密闭环境中的相关操作成本。
首款工业级 650V/10A碳化硅（SiC）肖特基二极管
Nexperia（安世半导体）推出适合超高性能、低损耗和高效功率转换应用的领先碳化硅（SiC）肖特基二极管。该产品具有不受温度影响的电容关闭和零恢复开关特性，以及出色的品质因数（Qc×Vf），合并PN肖特基二极管提高了稳健性，可耐受高IFsw。Nexperia（安世半导体）计划持续扩充SiC二极管产品组合，预计推出总共72款在650V和1200V电压、6-20A电流范围下工作的工业级部件和车规级部件。
作为汽车电子主流供应商，Nexperia（安世半导体）将运用氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）和IGBT等新技术，推进中国车规级半导体发展，让世界变得更美好。
此前，Nexperia（安世半导体）通过收购、投资等举措大幅扩充产能，且全球的研究和开发活动也得到了显著扩展。闻泰科技董事长兼首席执行官、安世半导体董事长兼首席执行官张学政表示：安世半导体研发和产能投资举措将支持我们实现宏伟的战略增长目标，丰富核心产品组合，并显著提高在汽车电子市场的份额。安世半导体致力于为中国汽车半导体保驾护航，与客户共创美好的未来。（校对|Lee）
4.露笑科技：合肥露笑半导体一期进入正式投产阶段
集微网消息 11月7日，露笑科技发布公告称，合肥露笑半导体一期已完成主要设备的安装调试，进入正式投产阶段。后续公司会根据市场订单情况及一期投产情况完成产能的进一步扩张。
据了解，露笑科技于2020年8月10日披露了《关于公司与合肥市长丰县签署建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园战略合作框架协议的公告》。
2021年6月25日，露笑科技与合肥北城、长丰四面体、投促基金、合肥露笑半导体签署了《合肥露笑半导体材料有限公司增资协议》，协议约定对合肥露笑半导体增加1.1亿元注册资本，投促基金认缴目标公司新增注册资本9,500万元，露笑科技认缴目标公司新增注册资本1,500万元。
2021年10月29日，露笑科技与长丰四面体新材料科技中心（有限合伙）、合肥露笑半导体材料有限公司签署了《合肥露笑半导体材料有限公司增资协议》，协议约定由公司和长丰四面体对合肥露笑半导体增资 2亿元，公司认缴新增注册资本1.5亿元，长丰四面体认缴新增注册资本0.5亿元。合肥露笑半导体其他2名股东合肥北城资本管理有限公司和合肥长丰产业投促创业投资基金合伙企业（有限合伙）放弃本次增资的优先认购权。
此次增资完成后，露笑科技持有合肥露笑半导体50.98%股权，合肥露笑半导体成为公司控股子公司。
露笑科技称，碳化硅项目的建成投产使公司实现国内6英寸导电型碳化硅衬底片的突破，配合下游电动汽车、充电桩、光伏新能源等市场的巨大需求，未来将对公司经营业绩产生非常积极的影响。（校对/Lee
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