【量产】ASML:中国已有近1400台ASML光刻机；东风首批自主碳化硅功率模块下线；商务部:希望美方取消对华投资限制；

2023.11.03 来源: 集微网热度: 7

1.ASML中国总裁：中国已有近1400台ASML光刻机；

2.商务部：希望美方取消对华投资限制，为中美经贸合作创造良好环境；

3.旗芯微在慕尼黑华南电子展发布FC7240产品家族，高性价比ASIL-D产品；

4.东风首批自主碳化硅功率模块下线；

5.六方半导体完成近亿元B1轮融资，聚焦碳化硅涂层领域；

1.ASML中国总裁：中国已有近1400台ASML光刻机；

集微网消息，ASML全球副总裁、中国区总裁沈波在访谈中表示，到2023年底，ASML在中国的光刻机加上量测的机台装机量接近1400台。

沈波表示，去年ASML全球净销售额达212亿欧元，预计2023财年，公司全球销售额增长30%，将达270余亿欧元。据ASML最新季报，明后年全球半导体行业将企稳。预计到2025年，现有晶圆厂产能将会增加并有新的晶圆厂投入使用，半导体设备行业将会迎来比较大的增长，迎来需求的“高潮”。

沈波透露，“我们现在对自己产能的判断，目标是在2025年底或2026年初，具备每年500台-600台深紫外（DUV）的设备产能。”

据悉，目前，ASML在中国设有16个办事处、12个仓储物流中心、3个开发中心、1个培训中心以及1个维修中心。ASML在中国大陆的员工总人数已经超过1600人。（校对/刘沁宇）

2.商务部：希望美方取消对华投资限制，为中美经贸合作创造良好环境；

集微网消息，11月2日，商务部召开例行新闻发布会。商务部办公厅副主任、新闻发言人束珏婷出席，介绍相关情况并回答媒体提问。

有记者会上提问：“近日，美国一些银行、制造企业和行业团体向美国财政部表达担忧，他们警告，美国总统拜登在八月份签署的限制向中国某些领域投资的行政令可能会损害创新。同时，这些团体希望游说美国政府缩小规定范围。请问商务部对此有何回应？”

束珏婷表示，美方打着“国家安全”和“去风险”的幌子限制美国企业对华投资，在投资领域搞“脱钩断链”，严重影响企业正常经营决策，破坏国际经贸秩序，扰乱全球产业链供应链安全。中方此前已表明了严正立场。正如美国工商界所担忧的，美方自我设限还会使美国企业在国际竞争中处于不利地位，妨碍技术进步，是典型的损人不利己行为。

束珏婷指出，把别人的发展视为威胁，把经济相互依存视为风险，不会让自己生活得更好、发展得更快。希望美方将无意对华“脱钩”、无意阻挠中国经济发展的承诺落到实处，尊重市场经济和公平竞争原则，取消对华投资限制，为中美经贸合作创造良好环境。（校对/姜羽桐）

3.旗芯微在慕尼黑华南电子展发布FC7240产品家族，高性价比ASIL-D产品；

2023年10月29日~11月1日，慕尼黑华南电子展在深圳举行，旗芯微半导体展出了众多已经上车量产的模块及demo，这些展品是基于FC4150和FC7300车规高性能MCU进行设计，产品应用包括车身控制模块、BMS管理模块、车灯控制及电驱动产品。

在展会现场，旗芯微首席营销官黄政钦先生发表了“拥抱功能安全核心，挑战出行无界”的主题演讲。详细介绍了旗芯微的核心竞争力和产品布局状况。同时黄政钦先生宣布FC7240家族产品正式发布，FC7240计划于2023年Q4对客户提供样片及开发板。

FC7240产品家族的正式发布，进一步丰富了ASIL-D高算力车规MCU的产品线，为客户提供性价比最佳的ASIL-D产品。FC7300和FC7240全系列对标英飞凌 TC家族控制器，覆盖智能底盘、功能安全控制器、域控制器等应用领域。

FC7240产品家族同样基于真5V车规级工艺打造，基于单个锁步Cortex-M7内核的高性能车规级HPU （Hyper Processing Unit），支持ASIL-D 功能安全等级。主频高达240 兆赫 (MHz)，带有4个CAN-FD口。芯片内部集成了2MB 的Flash及256KB SRAM空间。FC7240产品家族包含EVITA Full+级别的HSM信息安全功能支持，支持HSM/Evita Full或者SHE +RISCV两种模式，在SHE+RISCV的配置下，RISCV支持总共32K的RAM 。另外FC7240还特别集成了TPU/角度传感器的功能，增强对发动机点火应用的支持。产品通过AEC-Q100 Grade 1等级认证。提供LQFP-EP100/144/176封装。

FC7240主要针对的应用包括EPS、ESC、悬架控制系统、电机控制、发动机控制、电池管理系统 (BMS)、ABS、EPB等。

Hyper控制器产品家族特性列表

4.东风首批自主碳化硅功率模块下线；

集微网消息，武汉经开区2日消息，近日，首批采用纳米银烧结技术的碳化硅模块从智新半导体二期产线顺利下线，完成自主封装、测试以及应用老化试验。

图片来源：武汉经开区

据悉，该碳化硅模块，采用纳米银烧结工艺、铜键合技术，使用高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化pin-fin散热铜基板，热阻较传统工艺改善10%以上，工作温度可达175℃，损耗相比IGBT模块大幅降低40%以上，整车续航里程提升5%-8%。

武汉经开区消息，智新半导体碳化硅模块项目基于东风集团“马赫动力”新一代800V高压平台，项目于2021年进行前期先行开发，2022年12月正式立项为量产项目。智新半导体成立4年来，已申请受理专利51项，其中发明专利40项，已授权专利20项，其中发明专利11项。

此前消息，2019年6月，东风公司与中国中车合资成立智新半导体有限公司，开始自主研发生产车规级IGBT模块。2021年7月，以第6代IGBT技术为基础的生产线启动量产。智新半导体碳化硅模块项目二期于2022年三季度启动，2023年5月开工。当时消息显示，该项目拟新建一条车规级IGBT模块生产线，实现新增年产30万件汽车模块生产能力。（校对/赵碧莹）

5.六方半导体完成近亿元B1轮融资，聚焦碳化硅涂层领域；