全球首创“边缘暴露剥离法”制备金刚石薄膜,「钻耐科思DiamNEX」完成数千万元天使轮融资

公司通过独创方法成功制备了晶圆级尺寸、超平整、超薄的多晶金刚石薄膜,在提升生产效率的同时大幅降低了生产成本,有望突破金刚石薄膜大规模商用的瓶颈。

深圳钻耐科思科技有限公司(简称「钻耐科思」或「DiamNEX」)于近日完成数千万元天使轮融资,由领汇创投、海明润共同领投,相关产业方跟投。本轮融资资金将主要用于产品研发、产线建设及团队扩充。 

「钻耐科思」成立于2025年,由香港大学孵化,创始人褚智勤为香港大学电机与电子工程系副教授,核心成果为全球首创的、用于制备金刚石薄膜的“边缘暴露剥离法”。通过“生长-切口-机械剥离”三步法,公司成功制备了晶圆级尺寸、超平整、超薄的多晶金刚石薄膜,其导热性能接近单晶金刚石。相较传统方法,“边缘暴露剥离法”能极大提升金刚石薄膜的生产效率,降低生产成本。该技术已获得第49届日内瓦国际发明展金奖,相关学术成果也已于2024年12月发表在《Nature》期刊上。 

以往制备金刚石薄膜,需要先使用CVD或HPHT法生成块状金刚石,再通过研磨、切割等手段获得薄膜,但因金刚石材料的硬度极高,切割研磨非常困难,耗时久、易碎裂,导致制备良率低且成本高昂,难以兼容现有半导体工艺。据褚教授介绍,“与传统方法不同,公司首创的‘边缘暴露剥离法’是直接生长金刚石薄片,再通过机械手段进行剥离,利用金刚石生长面平整度超高的特性,一步到位获得可兼容现有半导体工艺的金刚石薄膜,从而大幅降低生产的时间与成本。” 

褚教授表示,工业领域的热管理是金刚石薄膜材料当下最重要的应用场景。事实上,随着现代电子设备的微型化、集成化和高性能化,功率密度的增加使得设备通道中出现严重的热量堆积,温度的提升进而会导致设备性能的下降乃至器件的失效。尤其在高性能计算、生成式AI等前沿场景,服务器已经被推向每秒兆瓦级发热的新极限。 

由于金刚石薄膜具有超高热导率的特性,在这些新兴场景中成为了传统金属或陶瓷散热材料的完美替代。褚教授进一步补充道,“即使相比石墨烯这类较为先进的散热材料,金刚石薄膜也具有独一无二的优势。它能很好地解决石墨烯纵向导热差的问题,此外由于金刚石薄膜本身不导电,在使用时也不需要像石墨烯那样添加额外的绝缘层”。 

对于金刚石薄膜材料目前还未得到大规模商业的现状,褚教授表示,“过往推广金刚石薄膜材料的主要障碍有两个,一是传统制备方法的成本难以降低,二是新材料引入现有供应链面临技术和思维惯性,需通过细分领域的成功案例验证其可用性。”公司独创的“边缘暴露剥离法”则绕过了金刚石薄膜传统切割、刻蚀、曝光等一系列技术难题,能够快速制备大面积、超薄、超平整、超柔性的金刚石薄膜,较行业现有方案大幅降低生产成本,在量产环节的优势非常显著,因此有望进一步推动金刚石薄膜在人工智能相关的数据中心、服务器、网络设备等场景中的规模化应用。 

作为第四代半导体核心材料,相比碳化硅等半导体材料,金刚石半导体材料具有超宽禁带、高击穿场强、高载流子饱和漂移速度、高热导率、高电子迁移率、化学稳定性和抗辐射性等优势特性。据褚教授介绍,“除了热管理外,金刚石材料还可用于功率器件、超表面光学、高能探测器、MEMS等众多领域。”褚教授还透露,在金刚石芯片的掺杂技术等环节,公司也有充足的技术储备。 

可以说,「钻耐科思」首创的“边缘暴露剥离法”为大规模制备金刚石薄膜提供了全新的路径。根据公司规划,公司将在近期启动产品的小试与自动化生产线的搭建,争取尽快实现高品质金刚石薄膜的批量生产,配合潜在客户共同开发金刚石薄膜的应用场景,携手推动金刚石半导体产业的发展。 

投资人说:

领汇创投副总经理张明星表示,褚教授的研究成果不仅具备突出的创新性和首创性,更能够以更高效率、更低成本解决实际问题,希望公司把握当下发展机遇加速成长,为产业的转型升级注入新动能。当下,引领式创新在推动经济高质量发展中正发挥越来越重要的作用,希望市场能够更加重视高校和科研院所科技成果的转移转化,促进创新成果更快更好转化为现实生产力。 

海明润总经理郭大萌表示,本次投资是公司在技术层面的战略举措。依托被投企业在金刚石薄膜制备的核心优势,与我司超硬材料应用的深厚积淀,双方深度融合。此举将加速打通“材料-外延-器件”全链条,率先实现第四代半导体在极端功率、高频及散热场景的产业化突破,构建产业新生态。