【突破】中环领先12英寸大硅片下月试产；钛深科技完成千万融资；河北严查强制推广芯片印章等行为；

1.不止于粤芯？智光电气“公开表态”考虑布局IC产业链；

集微网消息（文/小北）12月10日，智光电气在互动平台回答投资者“公司有考虑往半导体产业链方向发展吗”问题时表示，公司考虑在集成电路产业链方向上进行布局。

智光电气似乎早已瞄准集成电路产业领域。

智光电气成立于1999年，2007年在深圳证券交易所上市目前拥有多家全资及控股子公司，主营业务包括电气控制设备、电力电缆、综合能源服务、用电服务等。智光电气曾在互动平台表示，由于其产品及智能应用装备中会用到大量微处理器、电源管理、传感器、功率分立器件、电力电子等集成电路芯片，基于公司战略考虑，投资了粤芯半导体，公司对粤芯半导体有优先收购权。

广州粤芯半导体技术有限公司的大股东为誉芯众诚，誉芯众诚的第二大股东是智光电气。粤芯半导体项目投产，让智光电气也成了A股大赢家，

智光电气“公开表态”考虑在集成电路产业链方向上进行布局，或许有更进一步计划。（校对/小如）

2.中环领先12英寸大硅片下月试生产，满产月产能60万片；

集微网消息（文/图图）据陶都新闻报道，中环领先集成电路用大直径硅片项目的8英寸硅片已投产，生产12英寸硅片的厂房也安装了第一套设备，预计下月就能进行试生产。

中环领先集成电路用大直径硅片项目，是2019年江苏省级重大产业项目。该项目总投资30亿美元，占地405亩，建筑面积21.7万平方米。其中，一期投资15亿美元，装备投入60亿元。该项目已于今年9月27日投产，满产后将实现每月生产8英寸大硅片75万片、12英寸大硅片60万片产能。

据悉，该项目8英寸硅片多用于传感、安防领域以及电动汽车、高铁等功率器件；12英寸硅片的应用主要是逻辑芯片和记忆芯片，用于无人驾驶等领域。

今年9月27日，该项目8英寸产线正式投产。而据当时消息，12英寸厂房预计在今年四季度进入机电安装阶段，到明年1月份实现12英寸产线试生产。

就目前消息看来，该项目12英寸硅片产线进展顺序，与预期一致。

据陶都新闻报道，该公司相关负责人表示，作为天津中环在宜兴投资系列项目中体量最大的项目，中环领先集成电路用大直径硅片项目受到各界的关注和支持，公司也致力在此建设全国最大规模的集成电路用大直径硅片生产平台，打造中国半导体材料研发制造基地。

中环股份此前曾表示，公司8-12英寸大硅片项目，晶体生长环节在内蒙古呼和浩特，抛光片环节在天津和江苏宜兴。（校对/小北）

3.世界首创性第四代离电子压力传感器，钛深科技完成千万元融资；

集微网消息（文/小如）近日，钛深科技宣布完成数千万元Pre-A轮融资，本轮融资由同创伟业领投、源渡创投跟投，资金将主要用于和合作伙伴完成各行业成熟化解决方案的部署。

钛深科技由来自加州大学的潘挺睿教授和清华大学的汪晓阳博士联合创办，总部位于深圳。据源渡创投官方消息，经过多年研发，该团队世界首创性地推出第四代离电子压力传感器；相对于传统的电阻或电容式压力传感器，该离电子材料所生产出的传感器信噪比提升1万倍以上，且可实现各类基材如织物、橡胶、纸张的触觉智能升级。目前该传感器芯片已经实现量产出货，并且已经在多个行业完成应用方案，形成了落地的示范效应。

触觉传感器是压力传感器的一个子类，它的难点多年来集中于仿生介质上。这一触觉传感器具有比人类更灵敏的感知能力，精度也非常好，可以精确到小数点后三位以上，现在苹果和耐克都已经开始采用该触觉传感器开发新产品。

5G+AIOT正在加速催化即将到来的超级物联网，而智能触觉感知将会成为下一代超级物联网的基石。

据悉，钛深科技推出的第四代离电子压力传感器相对于传统的电阻或电容式压力传感器，信噪比提升1万倍以上，且可实现各类基材如织物、橡胶、纸张的触觉智能升级。目前该传感器芯片已经实现量产出货。（校对/小北）

4.又一世界突破！中科院研发出世上首个具有自对准栅极的垂直纳米环栅晶体管；

集微网消息（文/图图）中科院微电子所消息，微电子所先导中心朱慧珑研究员及其课题组提出并实现了世界上首个具有自对准栅极的叠层垂直纳米环栅晶体管，获得多项中、美发明专利授权，研究成果近日发表在《IEEE Electron Device Letters》上。

据悉，垂直纳米环栅晶体管是集成电路2纳米及以下技术代的主要候选器件，但其在提高器件性能和可制造性等方面面临着众多挑战。

在2018年底举办的国际集成电路会议IEDM上，来自IMEC的Ryckaert博士将垂直纳米器件的栅极长度及沟道与栅极相对位置的控制列为关键挑战之一。

而此次，朱慧珑课题组系统地研发了一种原子层选择性刻蚀锗硅的方法，结合多层外延生长技术将此方法用于锗硅/硅超晶格叠层的选择性刻蚀，从而精确地控制纳米晶体管沟道尺寸和有效栅长。

首次研发出了垂直纳米环栅晶体管的自对准高k金属栅后栅工艺；其集成工艺与主流先进CMOS制程兼容。课题组最终制造出了栅长60纳米，纳米片厚度20纳米的p型VSAFET。原型器件的SS、DIBL和电流开关比分别为86mV/dec、40mV和1.8E+5。

值得注意的是，该项目部分已经得到中国科学院集成电路创新研究院项目的资助。

左上：STEM顶视图，用原子层选择性刻蚀锗硅的方法制作的直径为10纳米的纳米线（左）和厚度为23纳米的纳米片（右）

右上：具有自对准高k金属栅的叠层垂直纳米环栅晶体管(VSAFETs)的TEM 截面图（左）及HKMG局部放大图（右） 

下：pVSAFETs器件的结构和I-V特性：器件结构示意图（左），转移特性曲线（中）和输出特性曲线（右）

图片来源：中国科学院微电子研究所官网

5.借安全之名垄断市场？河北严查强制推广芯片印章等行为；

集微网消息（文/小如）近日，河北省公安厅、省市场监管局联合印发通知，决定在全省开展为期两个月的专项行动，全面整治公章刻制领域滥用行政权力排除、限制竞争和市场垄断行为。

整治重点包括以提高防伪能力为名，强制推广芯片印章，抬高或者变相抬高印章成本价格。

芯片印章就是将芯片信息与公章信息融合传输到公安机关后台备案，目的是防止假章、破损章、一个单位多个法定名称章以及冒用公章等问题。

新型芯片印章，相较于传统印章有几大防伪措施，即采用了印章编码、章体内植入芯片，印鉴留存等，最为关键的就是为印章加装内置芯片，实现电子防伪、辨伪。每一枚印章内的章体芯片，都有自己的编码，只要把编码上报至系统即可快速识别出真与假。

近几年芯片印章已经在广东、陕西、江苏等多个城市陆续开展试点推广应用，并希望利用芯片技术有效解决假章、破损章、一单位多个法定名称章以及冒用公章等问题，

但由于哪类印章有必要采用芯片印章没有明确，且目前芯片印章的市场价格没有主管部门统一定价，各地区价格不一等原因，强制推行芯片印章也引起了一些反对声音。

而河北省本次严查强制推广芯片印章等行为，无疑是规范市场的进一步举措。（校对/小北）

6.新进展！深圳先进院等研发出单层多晶石墨烯可控断裂技术；

集微网消息，据中国科学院深圳先进技术研究院报道，中国科学院深圳先进技术研究院光子信息与能源材料研究中心副研究员陈明与新加坡南洋理工大学电子电气工程系教授魏磊合作，研发出一种针对单层多晶石墨烯的可控断裂技术。相关结果以论文《单原子层厚度多晶石墨烯的可控断裂》在线发表于Matter。

受热塑性聚合物加工领域的颈缩工艺中动态传播的局域应变的启发，团队设计了一种三明治结构的单层多晶石墨烯及聚合物的复合体-聚碳酸酯/多晶石墨烯/聚甲基丙烯酸甲酯-并对其进行了简便的颈缩工艺处理，最终观察到了一个非常有趣的现象：在颈缩未经过的部分，石墨烯保持原貌；在颈缩经过之后，石墨烯断裂成有序且宽度一致的纳米尺寸条带。在整个过程中，石墨烯的断裂伴随着颈缩的传播而有序的发生。

该技术除了可以作为一种简单易操作、低成本、耗时少的纳米薄膜图案化技术，还具有以下优势：得到的石墨烯纳米带具有成数千上万倍增加的活性边界。利用这个优异性质，团队证明了相比于未经有序断裂处理的多晶石墨烯薄膜，获得的石墨烯纳米带可以更加容易地进行高浓度氮掺杂，制备成的pH化学传感器灵敏度更高。

这种可控的局域应变技术，可以为定量研究各类缺陷在多晶石墨烯断裂中的行为和影响提供宏量实验数据，可以进一步阐明缺陷的力学行为并为石墨烯的生长和大规模应用提供指导。

据悉，在外加应力条件下，例如通过传统的拉伸方式（以PDMS等柔性材料作为基底）拉伸纳米薄膜材料，在被拉伸的纳米薄膜材料上形成的裂纹往往具有同时出现、随机且不可控的特征，以此得到的图案也总是无序的。

这是因为基底材料的应变是全局分布的。这种全局分布的应变通过基底与纳米薄膜之间的粘附力及摩擦力传递给纳米薄膜，使得薄膜内多处缺陷同时产生应力集中现象，从而使这些缺陷处的局部应力达到该材料的断裂强度，形成裂纹并扩展，这些扩展的裂纹可能会进一步和其他缺陷相互作用，改变裂纹的传播路径，最终形成纳米薄膜上无序的断裂图案。

如果在拉伸纳米薄膜的过程中，基底的应变是局域分布且可控的，那么传递给纳米薄膜的应变也是局域分布且可控的，这使得纳米薄膜的可控断裂或者图案化纳米薄膜成为可能。

此外，值得注意的是，本研究工作得到了国家自然科学基金等科技项目支持。（校对/小如）