第四代半导体,破晓时刻

中国成功研发全球首颗8英寸氧化镓单晶,突破第四代半导体技术瓶颈。氧化镓凭借耐高压、低损耗、低成本等优势,有望在新能源汽车、工业电力等领域替代传统材料。中国通过政策支持、产学研合作加速布局,但产业化仍面临制备难题和国际竞争,日本在衬底技术领先,美国聚焦器件研发,未来市场潜力巨大但需克服量产挑战。全球首颗8英寸氧......