眼下，存储市场正面临着AI需求持续高涨以及消费终端市场萎靡带来的产品需求分化。多位企业、分析人士在近日接受财联社记者采访时用“冰火两重天”来形容存储市场目前的状态。慧荣科技CAS业务群资深副总段喜亭向财联社记者透露，一方面企业级产品需求高涨，“常常接到客户的电话，问我们的企业级产品什么时候可以出货”；另一方面模组厂商和其下游客户在进行“价格战”，出货仍不畅旺。

展望后市，多位受访者告诉记者，这样的趋势预计延续至明年。

TrendForce 集邦咨询分析预计，明年传统DRAM中先进制程产品价格预计稳健、成熟制程则有跌价风险；NAND企业级及消费级产品价格仍分化，整体价格则预计在年初下跌、年中后回暖。值得一提的是，被视作目前GPU最佳存储解决方案的HBM芯片目前仍处供不应求状态，除三星、海力士等海外供应商正积极扩产外，国产玩家亦已经“在路上”。

存储市场陷“冰火两重天”

2023年Q4开始，存储行业进入强势涨价周期。以DRAM为例，TrendForce 集邦咨询数据显示，从去年Q4到今年Q3，DRAM连续四个季度价格飙涨，季涨幅均超10%。

然而此次涨价主要系原厂不堪忍受亏损并非需求大幅增长促进带来，这令本不畅旺的消费级存储市场更加低迷。

“2024年，存储产业经历了‘冰火两重天’的行情。一方面消费电子存储市场表现低迷，智能手机、笔电市场呈现出旺季不旺的景象；另一方面，AI对存储产品性能提出更高要求，助推高端存储产品价格持续上涨。”时创意董事长倪黄忠日前在集邦咨询存储产业趋势研讨会上接受财联社记者采访时表示道。

在此情况下，下半年存储原厂与模组、终端厂商的盈利能力出现分歧。

原厂三星电子今年Q3总营收达79.1万亿韩元（约573亿美元），同比增长17.3%，环比增长7%；海力士Q3营业收入为17.57万亿韩元，环比增长7%，同比增长94%，创历史新高。

另一方面，慧荣科技CAS业务群资深副总段喜亭告诉财联社记者，“在下游需求不畅旺的情况下，很多模组厂商及很多客户就开始杀价竞争，因为想要出货，所以导致价格非常疲软。然而即使终端价格疲软，出货量还不是很顺畅，因为降价并没有将需求端刺激起来。”

以小米为例，今年Q3小米集团智能手机ASP由2023年第三季度的每部997.0元上涨10.6%至今年的每部1102.2元；智能手机毛利率却由2023年第三季度的16.6%减少至2024年第三季度的11.7%。总裁卢伟冰在财报电话会上称，这与第三季度是内存价格的最高峰及产品的发布时间和节奏有关。

因此，不少消息称终端厂商减少存储备货。以模组等中下游环节为主的国内存储商们则压力较大，如佰维存储、江波龙等国产存储模组厂商均在Q3出现了净利润亏损的情况。

值得一提的是，近期存储产品的现货价格下跌严重，部分低容量内存条近半年多跌幅已逾40%。集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣告诉财联社记者，除需求不振外，还存在一些其他因素，“近期的存储现货跌价严重，实际上与一些厂商将二手内存条拆成颗粒，打成一般消费型的内存出货有关，扰乱了整个市场。”

“但在企业级存储方面，现在是非常火热，常常接到客户的电话，问我们什么时候可以搞定，可以出货等等，所以目前的状况是非常两极化。”段喜亭向财联社记者表示道。

根据集邦咨询数据，今年Q4，在经历了Q3至高20%的涨价后，企业级SSD仍预计单季增长0-5%，而NAND整体的却预计在当季下跌3-8%。

“AI的风还目前停留在资料中心，暂时没有吹到终端设备上面来。”对于这种分歧的原因，段喜亭总结道。

传统产品分化趋势仍延续，HBM具有确定性

“我认为明年这种分化其实还是非常严重的。AI的热度还是持续，但是价格会往下走一些；消费类的存储会回归到一个相对健康的状态。”倪黄忠说。

传统DRAM方面，集邦咨询分析师吴雅婷表示，2025年制程较成熟的DDR4和LPDDR4X因供应充足、需求减弱，目前价格已呈现跌势；DDR5与LPDDR5X等先进制程产品的需求展望尚不明确，加上部分买卖方库存水位偏高，价格不排除于今年第四季底开始下跌。在此情况下，集邦咨询预计传统DRAM在明年每季下跌3-8%。

NAND方面，在今年价格整体上涨了约43~48%的情况下，集邦咨询预计明年整体的合约价预计上涨15~20%，主要来自于企业级SSD年涨23~28%的促进。不过，明年的涨价主要会在下半年发生，Q2之前NAND市场整体价格较为平稳。

相较于传统DRAM及NAND目前的尴尬处境，因AI服务器而异军突起的HBM则仍维持强势。

吴雅婷表示，目前HBM部分供应商已完成合约价商谈，预计同产品价格上涨10%；而HBM3e12hi的量产将进一步带动均价上涨；整体来看，HBM的需求量增长达到117%。

问及其他存储芯片在GPU等AI芯片生产中能否替代HBM，段喜亭直言：“放眼目前可见的未来，还看不到HBM的替代品”。

HBM即高带宽存储，属于DRAM大类。其内部由多层DRAM Die垂直堆叠，每层Die通过硅通孔（TSV）技术实现与逻辑Die连接，使得8层、12层Die封装于小体积空间中，从而实现小尺存与高带宽、高传输速度的兼容。

段喜亭解释称，GPU在做大语言模型运算的时候，会一次性吸收巨量的数据进行运算，提供的数据越多，其运算效率越高，因此对于存储的资料吞吐量要求很高。单颗的DRAM资料存储量很低，资料吞吐量不够，因此需要使用把DRAM 堆叠起来做成的HBM。

目前，已量产出货的HBM中仍未见国产厂商身影，不过郭祚荣告诉财联社记者，或许将在2-3年内国产HBM就将有较大突破。

“之前有听到国内的内存厂开始做HBM的消息，我觉得以国内厂商的研发能力来说，两三年之内应该可以看到国产HBM开始供货。从工厂的技术设备等硬实力方面来说，我觉得是足够的。”郭祚荣告诉记者。

如长江存储集团下的武汉新芯公司于今年三月发布了《高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设》招标项目，表示将利用三维集成多晶圆堆叠技术，打造更高容量、更大带宽、更小功耗和更高生产效率的国产高带宽存储器(HBM)产品。日前，该公司已在湖北证监局披露IPO辅导备案报告，

此外，长电科技、芯碁微装、通富微电等封装厂商均在布局支持HBM生产的相关技术。

存储市场喜忧参半，企业级、消费级需求分化“愈演愈烈”，国产HBM已“在路上”