安建半导体获超2亿元C1轮融资
安建半导体C1轮融资圆满收官，公司获得超过2亿元人民币的融资。本轮融资由北京国管顺禧基金及中航投资领投，龙鼎投资、一元航天及万创投资跟投。募集资金将主要用于开发及量产汽车级IGBT与SiC MOS产品平台；扩建汽车级IGBT及SiC模块封装产线；扩充销售及其他人才团队；增加营运现金流储备等。
安建半导体选择国内最顶尖的技术节点切入，公司从成立至今，已实现IGBT、SGT-MOS、SJ-MOS三条产品线量产，公司产品得到了国内多家应用客户的认可，已在众多领域稳定运行，向市场展示了安建半导体的技术实力；公司目前已推出具有完全自主产权的1200V-17mΩSiC MOSFET，正在同步建设SiC模块封装产线和开发新一代GaN技术和产品。
安建半导体创始人兼董事长单建安教授表示：在目前复杂的经济形势及融资环境下，公司此次成功融资，进一步反映了资本市场对公司科研技术实力的认可，以及对公司未来发展的信心；公司将会持续加大对新产品研发的投入，特别是面向新能源汽车及大功率光伏、储能等高端应用的新型IGBT与SiC产品；公司在不断加大新产品研发的同时，也特别注重公司研发产品的落地，已组建了行业精英销售团队并制定了紧贴市场的销售策略来拓展公司产品市场，将持续扩大公司在行业内的产品市场份额。
多年来，安建半导体致力于成为大中华区技术上最顶尖和最全面的功率半导体器件企业，专注功率半导体器件的研发、设计、销售，在坚持为社会创造长期价值的同时，公司也坚定不移地追求增长。公司未来将会继续扩大投入、加大研发、努力不懈地推动创新，积极地应对每一个挑战，更好的服务客户，致力为公司股东创造良好的预期回报。
安建半导体
安建半导体是一家专门从事功率半导体元器件产品设计、研发及销售的高科技公司，拥有由香港科技大学教授、大中华区唯一一位从事硅基功率半导体研究的美国电子电气工程师学会院士（IEEE Fellow）所领衔的业内顶尖技术团队。公司现有低电压的SGT-MOSFET（分裂栅金属氧化物场效应晶体管）、高电压的SJ-MOSFET（超结金属氧化物场效应晶体管）、Field Stop Trench IGBT（绝缘栅双极晶体管）三条成熟的产品线，且研发的功率芯片得到了国内多家应用客户的认可，目前已经在众多领域稳定运行。
龙鼎投资作为硬科技领域“产业+金融”双轨并行的精品投资管理机构，始终坚持以国家发展战略为核心导向，以产融互补发展为核心引擎，布局半导体、新能源、新材料等赛道。截至目前，已累计对外投资集成电路、新能源等科技技术领域企业超过80多家，已形成完善成熟的产业链投资布局，拥有丰富的产业投资资源和专业经验，为被投企业提供丰富的业务资源、产业人脉、战略策划等增值服务，持续助力赋能企业高质量稳健发展。
