
2.机构:今年全球晶圆代工营收将减13.8%至1215亿美元 明年可望回升;3.三星存储技术日汇总:推出HBM3E内存,首发32Gb GDDR7;4.世界先进计划投资20亿美元 在新加坡建设12英寸芯片厂;6.台积电高雄盖2纳米厂跨步 1.4纳米投资计划也可能转进;

集微网消息,近期税务部门依法对富士康集团在广东、江苏等地的重点企业进行税务稽查,自然资源部门对富士康在河南、湖北等地的重点企业用地情况进行现场调查。市场传出,苹果有意将订单逐步转移至其竞争者手上,立讯精密及和硕等可望受惠。消息称,目前正值苹果iPhone 15系列手机大量制造与出货高峰,相关调查可能影响iPhone 15的生产能力。因此市场传出,苹果有意转移订单,立讯精密及和硕等厂商可望受惠。科技厂商表示,时值iPhone 15生产期,尽管需求有所下滑,但苹果仍会计划增加供应链以备不时之需。另外iPhone 16零部件及设计图已处于送样阶段,立讯精密已取得2024年iPhone 16 Pro Max组装NPI(New Product Introduction),其明年的代工比重有望大幅提升。厂商表示,若是中国大陆政府调查影响到富士康的产能,苹果可参照2022年11月郑州厂闭环管理的方式时,将订单转移给和硕和立讯精密。富士康母公司鸿海集团于10月22日下午紧急发布声明表示,“合法合规为鸿海在全球各地的基本原则。集团会积极配合相关单位的作业办理。”(校对/刘昕炜)2.机构:今年全球晶圆代工营收将减13.8%至1215亿美元 明年可望回升;集微网消息,市调机构DIGITIMES研究中心估计,今年全球晶圆代工业营收恐将减少13.8%至1215亿美元,2024年营收可望回升。展望未来,DIGITIMES研究中心分析师陈泽嘉表示,2024年晶圆代工业营收可望回升,不过总体经济增长动能不强及地缘政治风险恐抑制产业增长动能。高性能计算(HPC)应用芯片需求强劲,5G、电动车等芯片用量提升,加上自研芯片风潮,以及IDM厂委外下单趋势不变,中长期晶圆代工业营收依然成长可期。近日台积电总裁魏哲家也预估晶圆代工产业由年减7-9%下修至年减14-16%。对于“半导体景气何时触底反弹?”魏哲家表示,看到一些早期复苏迹象在PC与手机上出现,不过是否触底,可说非常接近,但目前仍很难说是否会强劲复苏,因为客户仍在谨慎管理库存,此外中国市场需求也仍疲弱,客户下单趋保守,库存调整延续到第三季度。(校对/刘昕炜)3.三星存储技术日汇总:推出HBM3E内存,首发32Gb GDDR7;集微网消息,三星于10月21日举办“存储技术日”活动,正式推出HBM3E高带宽内存芯片“Shinebolt”,以及LPDDR5X CAMM2、大容量GDDR7显存、可拆卸式汽车用SSD等产品。三星表示,当前云系统正不断发展,以优化计算资源,这需要高性能内存来处理海量数据,提供更大带宽。三星的HBM3E新产品名为Shinebolt,每引脚速度高达9.8Gbps,总带宽可达1.2TB/s。为了实现更高层数的堆叠,以及改善散热能力,三星优化了不导电薄膜(NCF)技术,以消除芯片层与层之间的间隙,并最大限度提高导热能力。三星表示,目前8层、12层HBM3产品正在量产,Shinebolt样品正在向客户发货。目前,三星正在利用其第四代基于EUV光刻机的10nm制程(14nm)节点来制造24GB容量的HBM3芯片,此外8层、12层堆叠可在HBM3E上实现36GB的容量,比HBM3高出50%此前SK海力士、美光均已宣布推出HBM3E芯片,皆可实现超过1TB/s的带宽。三星同时宣布HBM4内存将采用更先进的芯片制造和封装技术,虽然HBM4的规格尚未确定,但有消息称业界正寻求使用2048位内存接口,并使用FinFET晶体管架构来降低功耗。三星希望升级晶圆级键合技术,从有凸块的方式专为无凸块直接键合。因此,HBM4的成本可能会更高。在此次活动中,三星还展示了目前业界最高容量的32Gb DDR5 DRAM,业界首款32Gb GDDR7芯片,以及PB容量级别的SSD固态硬盘(PBSSD)。为了推进设备小型化,以及支持边缘计算设备,三星展示了LPCAMM形态的内存模组,体积更小、可拆卸。与目前广泛使用的SO-DIMM相比,LPCAMM性能提高50%,面积缩小60%,能效提高70%。三星展示了业界首款7.5Gbps LPDDR5X CAMM21,官方称其有望真正改变下一代PC和笔记本电脑内存规则。此外,三星还展示了9.6Gbps LPDDR5X DRAM、专门用于人工智能的LLW(低延迟高I/O)DRAM产品。关于GDDR7显存,三星此前已经正式发布,其待机功耗要比GDDR6低50%,传输速度最高每引脚32Gbps,比GDDR6高33%;采用新型封装材料,热阻更低。三星此次展示的GDDR7显存芯片容量可达32Gb,能够带动未来显卡进一步提升显存容量、降低功耗;汽车专用的GDDR7,封装尺寸更紧凑。三星预计2024年率先出货GDDR7,不过具体时间尚未确定。随着自动驾驶解决方案的发展,对车规级大容量DRAM、共享式SSD的需求不断增长。三星展示了可拆卸的车规级AutoSSD,支持多个SoC芯片共同访问。该产品提供6500MB/s的顺序读取速度,以及高达4TB的容量。由于该产品可拆卸,因此便于后续升级和更换。作为减少对环境影响承诺的一部分,三星强调在半导体业务中创新,帮助客户提高能源效率。三星展示了下一代下一代UFS闪存、用于PC的大容量QLC SSD BM9C1。该公司透露,很可能领先业界,率先推出PB级(约1000TB)容量的固态硬盘(PBSSD),该产品能够减少服务器能耗,最大限度提高空间利用效率。(校对/赵月)4.世界先进计划投资20亿美元 在新加坡建设12英寸芯片厂;集微网消息,三位知情人士称,世界先进(Vanguard International Semiconductor,VIS)正在寻求在新加坡建造更先进的12英寸(300mm)芯片工厂,着眼于满足相关汽车芯片的需求,台积电拥有该公司28.3%的股份。这将标志着世界先进多年来最大的投资。据了解此事的消息人士称,投资额将至少为20亿美元。世界先进今年的资本支出将低于100亿元新台币(3.09亿美元),而2022年为194亿元新台币。世界先进董事长方略今年表示,公司正在考虑在中国台湾或新加坡建造一座新的12英寸工厂,但没有具体说明该决定的时间表。方略表示,美国、欧洲和亚洲客户对一些非中国大陆生产的成熟芯片的需求一直在增长,以降低地缘政治风险。据悉,世界先进于2019年以2.36亿美元收购了格芯(GlobalFoundries)位于新加坡的一家更成熟的8英寸芯片工厂,该工厂生产各种传感器。新工厂将靠近从格芯购买的位于新加坡淡滨尼的工厂,该地点距离恩智浦和台积电共同拥有的硅片制造系统公司(SSMC)约10分钟车程。目前为止,世界先进仅运营8英寸芯片工厂,被认为是成熟制程,或者说不如12英寸工厂先进,更大的晶圆尺寸更具有经济意义,因为它增加了每片晶圆的产量。世界先进将专注于成熟且持久的芯片,用于不断增长的汽车和工业应用。台积电创始人张忠谋最近指出,随着世界各国都希望建立国内芯片生产,新加坡和日本是在全球芯片市场上获得份额的两个“理想”地点。不过,新加坡也面临着土地、水和电力等资源有限的问题。(校对/孙乐)集微网消息,有报道称,现代汽车和起亚10月18日表示,公司与英飞凌签署电力芯片战略合作合同。据报道,现代汽车和起亚与英飞凌于当地时间17日在德国慕尼黑举行签约仪式。现代汽车和起亚决定通过此次签约,携手与英飞凌合作开发技术,争取提升日后面市的电动汽车和混动车型的电力性能。英飞凌将在2030年前向两家公司提供电动汽车、混动汽车等车辆生产所需的部分电力芯片。现代汽车和起亚2000年代初期从英飞凌接受传感器芯片的供应,2000年代中期开始获供电力芯片。现代汽车集团全球战略部门负责人金兴洙在签约仪式上表示,双方通过合作缓解中长期的供需风险,基于采用新技术的具有竞争力的产品,力争主导全球电动汽车市场。英飞凌汽车电子事业部总裁Peter Schiefer表示,将尽全力开发符合现代汽车和起亚系统配置的优质电力芯片,并及时供应。(校对/赵碧莹)6.台积电高雄盖2纳米厂跨步 1.4纳米投资计划也可能转进;在台积电(2330)毅然宣布放弃于桃园龙潭科学园区三期(龙科三期)设厂前夕,台积电高雄厂2纳米营运部队已悄然成军,旗下高雄厂正式编定为台积22厂(Fab 22),并且完成营运组织编制。台积电强调,高雄厂组织编制出炉,与放弃龙科三期设厂无关。业界解读,这已凸显台积电进驻高雄打造另一个2纳米先进制程生产重镇,绝对是玩真的。台积电供应链认为,在高雄市政府全力配合台积电于高雄建厂下,台积电或许可能将高达逾7,000亿元的1.4纳米投资计划转向高雄,但仍视其他县市争取台积电进驻态度及台积电全盘规划而定。据了解,台积电高雄厂敲定由台积电中科15厂副厂长吴斯安出任厂长,与新Fab 20厂长吕祯祥领军的新竹宝山厂,形成台积电南北二大先进制程重镇,并开了公司在不同厂区同时生产最先进制程的先例。台积电高雄厂编制直接人员约1,500人、间接人员逾500人,合计逾2,000人,相关直接人员已调拨中科15厂和南科18厂的人员陆续报到,敲定由吴斯安领军,关键在他是台积电决定高雄厂由28纳米转向2纳米制程的专案负责人。消息人士透露,台积电2纳米计划(N2)仍在台积电全球研发中心进行研发、试验和测验中,不过稍早台积电总裁魏哲家揭露台积电的2纳米(N2)制程技术研发进展顺利,将如期在2025年进入量产。台积电打破在不同产区同时生产最先进制程的惯例,将高雄厂原计划切入28纳米及7纳米的规划,改为直接切入2纳米。同时在新竹宝山兴建2纳米第一期工厂之际,也立刻于高雄第一期工厂作为生产2纳米制程。供应链透露,台积电全球研发中心预定明年第1季末或第2季初,将2纳米试产参数,转移给宝山厂,进行设置量产线,这也意谓宝山厂将于明年第2季开始装机,并于下半年进行风险性试产,2025年下半年量产。据了解,新竹宝山厂第一厂初期月产能约达3万片;高雄厂则计划在宝山厂量产隔年也着手2纳米强化版N2P的量产作业,初期规划月产能也会在2万片以上。台积电日前于法说会宣布,公司在N2发展出背面电轨(backside power rail)解决方案,此一设计最适于高效能运算(HPC)相关应用。并强调背面电轨将使速度提升10%至12%,逻辑密度提升10%至15%。目标在2025年下半年向客户推出背面电轨,并于2026年量产。依此研判,高雄厂将切入N2P,与宝山的N2形成区隔。经济日报1.iPhone 15 Pro Max拆解:中国大陆供应商占比仅2.5%
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